邹新波
副教授、研究员、博导
博士毕业院校： 香港科技大学
电话： 021-20685373
办公室： 信息学院3D-324
邮箱： zouxb@shanghaitech.edu.cn
专业方向：
单位：
所属课题组：
研究方向： 第三代半导体功率器件，GaN基微波和毫米波器件，宽禁带半导体陷阱物性研究
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Dr. Xinbo Zou received his B.Eng degree in Electronic Science and Technology from Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT) in 2007. He received his Ph.D from the Hong Kong University of Science and Technology (HKUST) in 2013 for developing high-performance green and yellow LEDs on Si substrates with nanotechnology. From 2014 to 2017, he was a Research Assistant Professor with the Department of Electronic and Computer Engineering and a Junior Fellow in the Institute for Advanced Study (IAS) of HKUST. His main research interests include characterization of III-N materials and devices, from thin-film to nano-scale devices. Dr. Zou has authored more than 40 scientific papers. In September, 2017, he joined the School of Information Science and Technology (SIST) of ShanghaiTech University as a tenure-track assistant professor.
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姓名：郭好文身份：RF Engineer年级：邮箱：研究方向：基于片上测试平台，构建半导体器件的射频测试解决方案
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姓名：顾怡恬身份：博士生年级：2020级博士生邮箱：研究方向：
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姓名：陈嘉祥身份：博士生年级：2021级博士生邮箱：研究方向：GaN功率二极管及其瞬态特性和电力电子器件
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姓名：张羽身份：博士生年级：2021级博士生邮箱：研究方向：
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姓名：宋文涵身份：硕士生年级：2020级硕士生邮箱：研究方向：GaN器件的工艺和测试等
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姓名：徐梨花身份：硕士生年级：2020级硕士生邮箱：研究方向：GaN功率器件的设计和测试分析
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姓名：杜春琳身份：硕士生年级：2020级硕士生邮箱：研究方向：
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姓名：屈浩岚身份：硕士生年级：2021级硕士生邮箱：研究方向：GaN功率器件
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姓名：周隽民身份：硕士生年级：2021级硕士生邮箱：研究方向：射频电子器件
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姓名：李珂身份：硕士生年级：2021级硕士生邮箱：研究方向：射频电子器件与功率器件的表征
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姓名：睢金身份：硕士生年级：2021级硕士生邮箱：研究方向：GaN功率器件的性能测试及可靠性分析
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姓名：杜海涛身份：硕士生年级：2022级硕士生邮箱：研究方向：机器学习与GaN功率器件的结合
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姓名：朱一泰身份：硕士生年级：2022级硕士生邮箱：研究方向：GaN HEMT器件的可靠性测试
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姓名：高涵身份：硕士生年级：2022级硕士生邮箱：研究方向：GaN HEMT工艺及测试
EE 244 Optical communication systems
EE 111 Fundamentals of electric circuits
入选2018年上海市浦江人才计划，上海市东方学者（青年）
入选香港科技大学高等研究院青年学人
主持香港General Research Fund项目一项
合作主持广州市科技计划项目产学研协同创新重大专项项目一项
合作主持广东省科技发展专项资金项目一项
累计发表电子器件相关文章逾40篇
IEEE EDL 金牌审稿人（2014， 2017，2018）
IWN 2016(Orlando , US)分会场主席
沪公网安备 31011502006855号
