寇煦丰
副院长、教授、研究员、博导
博士毕业院校: 美国加州大学洛杉矶分校
电话: 021-20685386
办公室: 信息学院3-318室
专业方向:
单位:
所属课题组:
研究方向: 微纳电子器件与电路设计,自旋电子学,拓扑量子体系应用,低温电子学
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简介
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主要岗位职责(A角)
兼任岗位职责(B角)
兼任岗位职业(C角)

寇煦丰,信息学院副教授,目前在学院担任后摩尔器件与集成系统研究中心主任。

寇煦丰2009年毕业于浙江大学信息学院(光电系)及竺可桢学院混合班,被授予竺可桢学院特优毕业生荣誉。后于2009年至2015年赴美国加州大学洛杉矶分校电子工程系深造,师从Raytheon讲座教授Kang L. Wang,获得微电子器件方向硕士及博士学位,并被授予UCLA电子工程系杰出博士毕业论文荣誉;之后于2016年2月加入上海科技大学信息科学与技术学院。寇煦丰博士至今共申请了发明专利14项,撰写了3部专著章节,发表了100余篇论文,并且大部分见于国际顶级学术期刊和会议,如Nature Electronics (2), Nature Materials (2), Nature Nanotechnology (2), Nature Communications (4), Science Advances (1), Phys. Rev. Lett. (3), Adv. Mater. (2), Nano Lett. (9), Proc. IEEE (1), IEEE-IEDM (2), IEEE-EDL (1), 总引用8000余次,H因子为39。此外,他还获得了2012年度美国高通公司Qualcomm Innovation fellowship奖学金,2013年度国家优秀自费留学生奖学金,上海科技大学2017、2020、2022年度优秀教师,2018年度上海市青年五四奖章,2020年中国科学院教育教学成果奖一等奖,2021年上海科技青年35人引领计划,2022年上海高等教育教学成果二等奖,2023年上海浦东首届科技精英,并于2016-2017连续两年评选为上海科技大学产业实践优秀导师,2017、2018、2023年当选为上海科技大学书院优秀导师。

目前寇煦丰博士主持和参与了包括上海市青年科技英才扬帆计划(2017-2020),启明星计划(2021-2024);科技部国家重点研发计划(4项,2017-2021, 2022-2025,2024-2027),中国科学院战略性先导科技专项(2018-2024),国家自然科学基金委员会重点培育计划(2022-2024),面上项目(2019-2022),国家重点实验室项目 (2022-2024,2022-2027),以及Merck POC Program(2020-2021)在内的多项科研项目以及上海高校本科重点教改项目(2020);课题组与清华大学、复旦大学、中国科学与技术大学、中科院微系统所/技物所/半导体所、Stanford University, UCLA, NIST, Oxford University, University of Tokyo等多个科研院所保持长期科研合作和学生交流;课题组学生多次荣获国家奖学金,上海市优秀毕业生等荣誉。


  • 姓名:姚岐
    身份:副研究员
    年级:
    邮箱:yaoqi@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:拓扑量子体系
  • 姓名:汤辰佳
    身份:助理研究员
    年级:
    邮箱:tangchj@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:拓扑量子体系
  • 姓名:Kagan Irez
    身份:助理研究员
    年级:
    邮箱:Irezk@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:低温CMOS
  • 姓名:陈鹏
    身份:博士研究生
    年级:2021级
    邮箱:chenpeng2@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:拓扑量子体系,自旋电子学
  • 姓名:刘馨琪
    身份:博士研究生
    年级:2021级
    邮箱:liuxq3@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:拓扑量子体系
  • 姓名:袁雨蒙
    身份:博士研究生
    年级:2021级
    邮箱:yuanym@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:低温CMOS
  • 姓名:职正航
    身份:博士研究生
    年级:2022级
    邮箱:zhizhh@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:微纳电子器件,自旋电子学
  • 姓名:胡勇琦
    身份:博士研究生
    年级:2022级
    邮箱:huyq1@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:低温CMOS,模拟集成电路设计
  • 姓名:蔡新雨
    身份:博士研究生
    年级:2023级
    邮箱:caixy1@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:拓扑量子体系,自旋电子学
  • 姓名:朱轶尧
    身份:直博生
    年级:2022级
    邮箱:zhuyy2022@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:低温CMOS,模拟集成电路设计
  • 姓名:何畅
    身份:直博生
    年级:2023级
    邮箱:hechang@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:低温CMOS
  • 姓名:黄浦阳
    身份:硕士研究生
    年级:2021级
    邮箱:huangpy1@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:自旋电子学
  • 姓名:刘久铭
    身份:硕士研究生
    年级:2021级
    邮箱:liujm@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:拓扑量子体系,自旋电子学
  • 姓名:陈人和
    身份:硕士研究生
    年级:2021级
    邮箱:chenrh@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:模拟集成电路设计
  • 姓名:顾钰
    身份:硕士研究生
    年级:2021级
    邮箱:guyu@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:低温CMOS,自旋电子学
  • 姓名:王子睿
    身份:硕士研究生
    年级:2022级
    邮箱:wangzr2022@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:自旋电子学
  • 姓名:姚珊
    身份:硕士研究生
    年级:2022级
    邮箱:yaoshan2022@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:自旋电子学
  • 姓名:张逸凡
    身份:硕士研究生
    年级:2023级
    邮箱:zhangyf@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:拓扑量子体系
  • 姓名:梁玉桢
    身份:硕士研究生
    年级:2023级
    邮箱:liangyzh@shanghaitech.edu.cn
    研究方向:自旋电子学
  • 1. P. Cheng*, Q. Yao*,#, J.Q Xu, Q. Sun, A.J Grutter, P. Quarterman, P.P Balakrishnan, C.J Kinane, A.J Caruana, S. Langridge, A. Li, B. Achinuq, E. Heppell, Y.C Ji, S.S Liu, B.S Cui, J.M Liu, P.Y Huang, Z.K Liu, G.Q Yu, F.X Xiu, T. Hesjedal, J. Zou, X.D Han, H.J Zhang, Y.M Yang#, and X.F Kou#, Tailoring the Magnetic Exchange Interactions in Ferromagnet-Intercalated MnBi2Te4 Superlattices, Nature Electronics, 2023-01, 6, 18–27
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  • 18. L. Pan*, X.Y Liu*, Q.L He*, A. Stern, G. Yin, X.Y Che, Q.M Shao, P. Zhang, P. Deng, C.Y Yang, B. Casas, E.S Choi, J. Xia, X.F Kou, and K.L Wang#, Probing the low temperature limit of the quantum anomalous Hall effect, Science Advances, 2020-06, 6:eaaz3595
  • 19. W. Xia*, X.B Shi*, Y. Zhang*, H. Su, Q. Wang, L.C Ding, L.M Chen, X. Wang, Z.Q Zou, N. Yu, L. Pi, Y.F Hao, B. Li, Z.W Zhu, W.W Zhao#, X.F Kou#, Y. F Guo#, Bulk Fermi surface of the layered superconductor TaSe3 with three-dimensional strong topological insulator state, Physical Review B, 2020-04, 101, 155117
  • 20. Y. Zhang*, C. Zhang*, H.X Gao, Y.W Liu, X.Y Liu, F.X Xiu#, and X.F Kou#, Large Hall angle-driven magneto-transport phenomena in topological Dirac semimetal Cd3As2, Applied Physics Letters, 2018-08, 113, 072104
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  • 25. X.F Kou, Y.B Fan, M.R Lang, P. Upadhyaya, and K.L Wang#, Magnetic Topological Insulators and Quantum Anomalous Hall Effect (Invited Review), Solid State Communications , 2015-07, 215-216, 34-53
  • 26. X.F Kou*, S.T Guo*, Y.B Fan*, L. Pan, M.R Lang, Y. Jiang, Q.M Shao, T.X Nie, K. Murata, J.S Tang, Y. Wang, L. He, T.K Lee, W.L Lee#, and K.L Wang#, Scale-Invariant Quantum Anomalous Hall Effect in Magnetic Topological Insulators beyond Two-Dimensional Limit, Physical Review Letters, 2014-09, 113, 137201
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  • 28. X.F Kou*, L. He*#, M.R Lang*, Y.B Fan, K.L Wong, Y. Jiang, T.X Nie, W.J Jiang, P. Upadhyaya, Z.K Xing, Y. Wang, F.X Xiu, R.N Schwartz and K.L Wang#, Manipulating Surface-Related Ferromagnetism in Modulation-Doped Topological Insulators, Nano Letters, 2013-09, 13, 4587-4593
  • 29. X.F Kou, M.R Lang, Y.B Fan, Y. Jiang, T.X Nie, J.M Zhang, W.J Jiang, Y. Wang, Y.G Yao, L. He#, and K.L Wang#, Interplay between Different Magnetisms in Cr-Doped Topological Insulators, ACS Nano, 2013-09, 7, 9205-9212
  • 30. X.F Kou, W.J Jiang, M.R Lang, F.X Xiu, L. He#, Y. Wang, X.X Yu, A.V Fedorov, P. Zhang, and K.L Wang#, Magnetically doped semiconducting topological insulators, Journal of Applied Physics, 2012-09, 112, 063912
  • 31. X.F Kou*, L. He*#, F.X Xiu, M.R Lang, Z.M Liao, Y. Wang, A.V Fedorov, X.X Yu, J.S Tang, G. Huang, X.W Jiang, J.F Zhu, J. Zou, and K.L Wang#, Epitaxial growth of high mobility of Bi2Se3 thin film on CdS, Applied Physics Letters, 2011-06, 98, 242102