拓扑自旋电子学

发布时间：2025-10-20浏览次数：175

演讲者:   周艳，香港中文大学（深圳）

时间:      2025年10月22日，上午9:00

邀请人:   祝智峰

地点:      信息学院1A-200

摘要:

磁斯格明子是一种拓扑稳定的自旋分布，具有纳米尺度、类粒子性和驱动电流小等特性，被广泛认为是下一代高密度信息存储设备的基本单元。周艳教授团队从新材料体系拓扑磁结构、拓扑磁结构的产生/输运/调控、原型器件构筑和设计三大方面开展了系列前瞻性研究,主要包括：（1） (单相+人工合成)反铁磁、亚铁磁、阻挫体系的拓扑磁结构。在这种体系里，磁斯格明子的旋度(helicity)作为一个新的自由度可以被多场调控，进而设计新型的功能器件。 （2）致力于解决磁斯格明子在应用角度的关键性问题 — 磁斯格明子霍尔效应，这种效应导致磁斯格明子作为信息载体的湮灭，进而导致自旋拓扑功能性器件的失效。（3）提出基于磁斯格明子的赛道存储器、逻辑电路、微波源器件、拓扑类脑计算重要概念，这些领域已经成为研究热点。

报告人简介:

周艳，祖籍山东。中国科大本科、瑞典皇家工学院博士。香港中文大学（深圳）长聘教授、科研副院长。香港大学电子工程学荣誉教授，香港科大物理系访问教授。主攻磁存储、AI芯片、类脑与量子计算，主持国基重大等经费逾亿元。近五年发表自然及自然子刊等百余篇顶级论文，被国际同行引用 1.8万余次，授权专利 50 余项，产学研转化落地AI芯片企业一间。