范德华铁电体的物性研究与器件应用

演讲者:   王林，上海交通大学

时间:      2025年4月7日，下午14:00

邀请人:   祝智峰

地点:      信息学院 1C-201

摘要:

铁电材料在小型化、低功耗、高集成度信息器件中具有重要应用潜力。近年来所发现的二维范德华铁电体系具有原子级厚度、室温铁电性、表面无悬挂键、易堆叠等优异的物理性质，为发展新型功能器件提供了全新的材料平台，有望解决传统铁电体在高集成度非易失性器件应用方面所面临的问题。报告将介绍范德华铁电材料与器件的研究背景和相关进展。然后，以典型本征铁电体α-In2Se3为例，介绍电学模式原子力显微镜（压电力显微镜PFM、导电原子力显微镜cAFM、扫描微波阻抗显微镜SMIM等）在研究纳尺度材料、结构、器件等层面物理特性中的应用，展示范德华铁电器件在神经形态器件中的应用前景。最后，讨论范德华铁电体的产业化应用所面临的问题和挑战。

报告人简介:

王林， IEEE高级会员，上海交通大学长聘教轨副教授，博导，上海市海外高层次人才。长期从事半导体的微纳尺度物性表征和新型半导体器件应用研究，研究内容包括材料物性、器件物理、器件设计与制备、铁电功能器件开发等，擅长基于多模式原子力显微镜的微纳尺度材料和器件表征量测。在Nature Communications、Advanced Materials、Advanced Functional Materials、ACS Nano、Nano Letters、Advanced Electronic Materials、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、Ultramicroscopy等学术期刊和IEDM、VLSI等会议发表论文60余篇，谷歌学术引用2800余次。