新型存储器技术

演讲者:   杨建国，张江实验室

时间:      2024年10月11日下午 15:00-16:30

邀请人:   信息学院

地点:      教学中心 301

摘要:

存储器在半导体产业中的战略意义重大，是显示集成电路发展水平的重要标志之一。目前，DRAM及FLASH市场基本被韩国三星、美国美光、韩国海力士、日本尔必达等少数几家企业所占据。在中国市场，存储器需求巨大，但几乎完全依赖进口，国产化进程迫切，发展自主可控的存储器产业，不仅能提升国家的科技实力，还能减少对外部技术的依赖，保障经济安全。当前，以DRAM和NAND为代表的传统存储器技术发展面临物理效应限制与成本剧增的双重挑战。以现有制造技术与集成方式，难以进一步持续微缩，并带来工艺成本的成倍增加，面临尺寸微缩的发展“红墙”，与此同时信息应用的种类特别是AI的发展，对存储器的性能、功耗与功能提出了更高的要求。国际存储技术正在研发从原理和器件结构变革的新型存储重大创新技术，以阻变存储器（RRAM）、相变存储器（PCM）、磁存储器（MRAM）、铁电存储器（FeRAM）为代表的新型存储器将可能改变未来存储格局，将成为我国自主高端存储芯片的重要发展路径，成为新一代集成电路尖端技术的核心驱动力。本报告将介绍当前主流存储器的现状与挑战，并探讨新型存储器的优势及其研究进展和发展趋势，重点介绍新型存储器在独立式存储、嵌入式存储、存内计算和硬件安全芯片等领域的研究进展。

报告人简介:

杨建国，张江实验室研究员，博士生导师，2016年于复旦大学获得博士学位。主要从事存储器电路设计及应用、新型架构芯片、三维集成电路研究工作。基于自主开发的28/14nm阻变存储器集成技术，研制了多颗性能领先的新型存储芯片并获得大规模量产。在芯片领域顶级国际学术会议（ISSCC、IEDM、VLSI）发表论文20篇，其中第一作者/通信作者12篇。在Nature Communications、TVLSI、JSSC、TCAS-I、TCAS-II等知名期刊发表论文超过20篇，申请发明专利20项，担任SPJ Intelligent Computing客座编辑。