高能效铁电存算器件

发布者:闻天明发布时间:2023-11-22浏览次数:10

演讲者:   周久人,西安电子科技大学

时间:      2023年11月27日,上午10:15-11:15

邀请人:   吴涛

地点:      信息学院 2-515

 

摘要:

  

随着晶体管工艺尺寸的微缩,集成电路的静态功耗不断增加,面对大数据时代的海量信息的存算需求,传统基于冯·诺依曼架构集成电路的能效、算力发展面临巨大挑战。高能效铁电器件利用铁电材料自发极化,可实现非易失性存储、陡峭亚阈值摆幅特性、类脑人工神经突触等多种存储-运算功能,具备突破器件尺寸物理极限、缩减驱动电压、兼容高能效存算架构的能力,可显著改善集成电路功能密度和能效特性,被视为 “后摩尔时代”集成电路产业最具潜力的探索方向。报告人将从高介电铪基铁电材料、低功耗负电容晶体管、光电感知型铁电电容型存算器件以及铁电掺杂可重构存算晶体管等方面汇报开展的相关工作。

报告人简介:



  


周久人,西安电子科技大学教授,国家级青年人才支持计划入选者、杭州市“西湖明珠工程-海外引才创新人才项目入选者。2019获得西安电子科技大学工学博士学位,导师郝跃院士,2017~2019年在加州大学伯克利分校联合培养,师从Sayeef Salahuddin教授(IEEE Fellow)/Chenming Hu教授(IEEE Life Fellow、FinFET发明人),2019年加入新加坡国立大学SNDL实验室,2021年加入西安电子科技大学。在IEEE IEDM、IEEE VLSI、IEEE EDL、IEEE TED等微电子领域会议和期刊上发表学术论文40余篇,授权发明专利11项(中国、新加坡、PCT),撰写学术专著《负电容场效应晶体管》,获国家出版基金资助,主持科技创新2030 -“新一代人工智能”重大项目课题和国家自然科学基金“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划培育项目。