增益型碳化硅传感器研发

演讲者:  史欣，中国科学院高能物理研究所

时间:      2026年4月16日，下午14:00

邀请人:   邹新波

地点:      信息学院 3-301

摘要:

硅基探测器近年来在高能物理、核物理、空间探测、医学物理等领域得到广泛应用。然而，硅探测器运行在强辐照环境通常需要庞杂的低温系统，且随着辐照剂量增加，探测性能也随之下降。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，相比硅具有禁带宽、原子位移阈能高、导热率高以及载流子饱和漂移速度快等优点，有潜力成为下一代抗辐照、耐高温的高时间分辨探测器。本报告以欧洲核子中心大型强子对撞机上ATLAS 实验的硅探测器升级为背景，介绍在国际半导体探测器研究合作组宽禁带半导体与新材料探测器工作组框架下，正在推进的增益型碳化硅传感器作为高能粒子快时间探测器的研究项目进展。

报告人简介:

2001年本科毕业于山东大学物理系；2004年获得北京大学技术物理系硕士学位；2011年获得康奈尔大学博士学位。2011年至2015年博士后分别在台湾大学（常驻瑞士日内瓦欧洲核子中心CERN）和普渡大学。从2002年至今，参与了北京正负电子对撞机、康奈尔正负电子对撞机和欧洲核子中心的大型强子对撞机上的实验，开展物理分析与半导体探测器研制。