邹新波课题组叶文博（硕）2025年7月参加ICNS会议并做汇报

2025年7月6日至13日，我有幸前往瑞典马尔默，参加了氮化物半导体领域最重要、最前沿的顶级国际学术会议——ICNS-15（International Conference on Nitride Semiconductors）。该会议内容涉及氮化物半导体材料与器件的最新进展和研究动态。来自世界各国的近千名麻省理工学院、剑桥大学、加州大学洛杉矶分校等该领域的专家和学者参加了交流和讨论，为世界各地的学者提供了一个交流、互动的学术平台。我于7月10日下午做题为“Neutral Beam Etching: A Pathway to High-performance E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMTs for Power, Digital and RF Applications”的汇报。

汇报现场拍摄照片

我的汇报介绍了NBE刻蚀技术在功率，射频和数字领域制备增强型氮化镓器件的应用潜力。基于氮化镓 (GaN) 的增强型 (E-mode) 晶体管因其失效安全特性和与单极性电压驱动电路的兼容性，在电力电子和射频 (RF) 应用中需求旺盛。除了 p-GaN 栅 HEMT 之外，GaN 凹栅 MOSHEMT 也被认为是实现常关型 (Normally-off) 的另一种有前景的方法，其特点是较宽的栅压摆幅和成熟的 AlGaN/GaN 外延层技术。传统的感应耦合等离子体 (ICP) 常用于势垒层的减薄，但离子轰击和紫外光子导致的刻蚀损伤会降低器件性能。相比之下，基于 Ar 的中性束刻蚀 (NBE) 技术可通过惰性气体离子束实现精确去除材料，具有良好的刻蚀深度控制和减轻等离子体损伤的优势。本研究对基于 NBE 的 GaN 凹栅 MOSHEMT 进行了深入研究，涵盖电力电子和低噪声放大器 (LNA) 两类应用。

汇报结束后，台下一个教授问了我一个问题：“刻蚀深度是多少？”我回答：“AlGaN刻蚀深度是12nm。”在台下，David Zhou问我“用p-GaN做LNA有什么不足，为什么不继续做p-GaN LNA而改用recessed-gate MISHEMT来做LNA?”我回答：“用p-GaN gate做E-mode LNA 并没有明显的不足，相反p-GaN gate在商业上更加成熟，之所以用recessed-gate做e-mode LNA是为了为技术世界探索另一种可能性。”

本人和美国工程院院士（Kei May Lau）的合照

这次会议对我而言是一个令人难忘的学习机会，我不仅有机会与顶尖的科学家和研究人员交流，还深入了解了氮化镓材料的最新研究进展。最后，我要感谢学校和邹老师对我的支持和鼓励，参加本次ICNS会议是我科研生涯中的一大里程碑，我将继续努力学习和成长，为科学事业贡献自己的力量。