氮化物宽禁带半导体中位错及层错新奇物性的原子尺度研究

演讲者:   厉志乔，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

时间:     2025年6月24日，上午10:30

邀请人:   邹新波

地点:      信息学院 3-301

摘要:

以GaN、AlN为代表的纤锌矿结构氮化物是宽禁带半导体的代表材料，已在现代电力电子、光电子器件中有重要应用。但由于人工生长氮化物中存在大量位错、层错等晶体缺陷，现代GaN（AlN）基器件性能远未达到材料本征物理极限，而上述缺陷难以消除的原因之一在于对位错及层错等基本缺陷的微观结构及基本物性仍缺乏系统认识。本次报告将基于原子分辨透射电子显微镜、双光子光致发光位错重构等先进表征方法，重点分享氮化物半导体中费米能级调控位错反常移动和柱面层错自组装形成纳米畴等新奇现象，通过晶体学及热力学的系统分析，在原子尺度揭示位错、层错的相关物性。

报告人简介:

厉志乔，在2023年于重庆大学获得博士学位，长期致力于利用高空间分辨透射电子显微镜等先进表征方法围绕GaN、AlN、镁合金等六方晶体材料中的复杂缺陷及新奇物性开展跨尺度基础研究，近五年发表SCI论文14篇，其中以一作（含共一）或通讯作者在Nat. Comm.、Acta Mater.及APL等期刊发表论文6篇，承担江苏省科技重大专项子方向课题，获选2021年川渝科学技术大会特等奖，2024年江苏省卓越博士后。