超导电路在量子计算中的退相干研究

Release Time:2025-01-06Number of visits:10

演讲者  邓昊,北京大学量子材料科学中心

时间:      202518日,下15:00

邀请人  任轩乐

地点     信息学院 1A-200

摘要:

高质量、长相干的量子比特是实现量子计算的重要物理条件之一。对于超导量子电路的技术路径,由于其环境敏感特性,退相干方面的研究一直备受关注。本报告具体介绍我们在超导量子比特介电损耗机理上的研究发现,成功实现了基于TiN-sapphire体系的长相干量子比特,为后续高精度量子门操控、和大规模超导量子处理器的开发提供了物理基础。

报告人简介:

邓昊,本科毕业于北京大学,博士毕业于普林斯顿大学。博士期间,主攻二维电子气量子霍尔效应、多体量子态及相变、高质量量子阱分子束外延。曾就职于阿里巴巴达摩院量子实验室,领导团队开展超导量子电路退相干机理和精密计量学研究。目前在北京大学量子材料科学中心担任访问学者,研究方向包括电路量子电动力学,二维电子系统-超导量子电路混合体系,二维电子系统量子相态及相变,量子计算等。