低温COMS器件建模和电路设计

Release Time:2022-03-17Number of visits:338

Speaker:     胡勇琦

Time:          14:00-15:00 , Mar. 18

Location:    Tencent Meeting

会议号:473-682-945

会议链接:https://meeting.tencent.com/dw/wvcVPgaU7ML8

Host:           寇煦丰

 

Abstract:

低温电子在航空,量子计算,高能物理实验,计量,超导天文探测器等多种应用场景中发挥着基础性的作用,其中量子计算被认为是后摩尔时代的可能解决方案之一,在近年来受到的关注越来越多。相较于传统计算方式,量子计算方式的运算速度具有指数级加速的效果。量子计算机的核心是由经典电路控制的量子位阵列,由于量子位十分地不稳定,需要建立一个稳定的工作环境例如超低温(几十毫开尔文)等来延长其量子态的寿命,外部控制和读出电路用来操纵和读取量子位。目前最先进的量子计算机中控制和读出电路在室温下运行,这使得室温控制器在硬件和布线方面十分复杂,只能支持有限数量的量子位。为了支持未来量子计算机所需的百万量子位,可以将控制器放置于极低温环境中(4.2K),然而在深低温条件下,器件的电学特性可能会发生异常变化,目前来说只有CMOS才能稳定工作在温度在10-100mK的环境,并且同时提供处理数千或数百万个量子位的复杂片上系统集成。因此研究低温下MOS器件模型以及低温CMOS电路设计显得尤为重要。

 

Bio:

胡勇琦,20166月毕业于南京理工大学电子科学与光电技术学院,20209月加入上海科技大学信息学院寇煦丰老师课题组,目前是研究生二年级,打算继续在上海科技大学攻读博士学位。主要研究方向是低温CMOS电路设计,包括低温DACLNA等等的设计。至今在IEEE ISCAS国际会议上发表研究论文1篇。