出访背景和任务：
2019年5月19日至23日，CSW 2019在日本奈良举办。上海科技大学信息学院邹新波组王阳倩同学在会议中做了题为“Simulation Study of Front-illuminated GaN Avalanche Photodiodes with Hole-initiated Multiplication”的Poster Presentation.
CSW 2019全称为 Compound Semiconductor Week 2019,是化合物半导体所有领域的科学，技术和应用的首要论坛。CSW 2019涵盖了化合物半导体的所有方面—包括生长，加工，器件，物理，自旋电子学，量子信息，HEMS/NEMS，传感器，太阳能电池和新型应用。
我在本次会议中的海报展示主要是在实验基础上研究探讨了新型雪崩光电二极管的器件特性，利用氮化镓的特殊属性即空穴的电离系数远大于电子的电离系数，并且在减少光损耗的前提下提出了一种具有空穴触发的前照式雪崩光电二极管，并在仿真层面上验证了GaN材料的独特属性，给出了初步的设计结果，这对于未来对于信号单向流通有利于信息安全方面的设计应用有指导意义，该设计实现了对紫外光的探测，应用广泛。
实际日程和内容：
5月18日，我在浦东国际机场触发前往大阪，从大阪乘坐大巴前往奈良。
5月19日，早上，我注册了会议并在开始会议之前把明天要讲的内容进行了大致的了解，选择自己要学习的模块进行学习交流。
5月20日，我参加了会议的开幕式演讲。开幕式有项目委员会主席Kazuhiko Hirakawa主持，他向我们介绍了大会的整体情况，并在开幕式期间，邀请到了四位全体发言人，给我印象最深的是来自名古屋大学的Hiroshi Amano教授和来自斯坦福大学的James Harris.其中Hiroshi Amano教授的演讲题目是“GaN as a key material for realizing Internet of Energy”,他讲述了GaN以及一些相关的氮化物半导体，是下一代高功率和高频器件的关键材料，将器件的设计和人工智能结合起来是一个非常有趣的想法，引起了我对氮化镓领域的强烈兴趣，也深知还有更深的研究和学习需要我们去探索去应用。这次的特别演讲，我比较全面的了解到在最前沿氮化镓器件的应用和科研进展。
图1.会议开幕式
5月21日，早上8:30-10:30我对GaN MOS Power FETs进行了了解和学习。下午两个小时的海报展示环节，许多参会者来同我交流了我的研究工作，他们主要询问了我关于雪崩光电二极管的设计思路，器件的特性以及相关因素是否影响器件特性如何影响器件特性，仿真遇到的问题以及解决方法，器件的应用等等。由于此次参会研究的光电探测器的方面不是很多，在本科期间有对光致发光表征器件的质量的理论知识，我同相邻展位的教授进行了交流探讨，他反其道而行，没有利用光致发光的方法进行表征，回归到最初的电致发光的表征方法，我学习到了不一定后来法阵的技术就可以完全替代以前的技术，还是有很多东西去探讨去辩证，同时同他分享了我在研究过程中遇到的问题以及是如何提出这种新型的结构，感谢教授对我工作的认可。
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图2.海报展示
5月22日-5月23日：我主要参加了与我们实验室相关的口头报告。与来自北京大学研二的学长进行了学术交流，了解到他们目前做的工作是利用量子物理进行器件的算法研究，还处于萌芽阶段。也与来自名古屋大学研三的学长进行GaN领域的讨论，了解到他很有兴趣加入到GaN领域。他在研究生阶段的工作是基于BN的工艺生长来展开的，通过讨论交流学到了很多的东西。23号上午，举行了闭幕仪式，至此为止为期5天的CSW 2019完美落幕。
图3.会议闭幕式
出访成果：
这次会议中我展示了我的科研成果“Simulation Study of Front-illuminated GaN Avalanche Photodiodes with Hole-initiated Multiplication”并与参会的众多学者进行了交流。我第一真切的感受到了与别人进行英语学术交流的感觉，从中锻炼了我的表达交流技巧也培养了我的自信心。通过学习他人的研究成果，使得我对以后的科研有了更深的认识。在会议中第一次见到了许多氮化镓领域的重量级人物以及很多优秀的学长学姐，通过聆听他们的演讲，对他们的研究进行认识了解和学习，让我对GaN领域有了更深的认识。由衷的感谢我的导师邹新波老师，在我研究过程中提出的意见以及耐心的解释给了我很大动力，我深知我不够聪明，但是我的导师总是能鼓励我循序前进，总是能及时的纠正我，所以才有了这次去日本学习的机会。此次的日本之行，我受益匪浅。
后续工作：
在接下来的科研中，我将在老师带领下继续拓展研究内容、完善研究成果，将相关所有研究数据整合并撰写一篇期刊论文发表。
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