基于AlGaN材料的紫外光电子器件

Speaker:     郭炜，中科院宁波材料所

Time:           3月7日 10:00-11:00 

Location:      信息学院 2 215

Host:            吴涛

Abstract:

基于AlGaN宽禁带半导体材料的深紫外LED具有节能环保、结构轻便的特点，是替代传统汞灯紫外光源的最佳选择，在杀菌消毒、保密通讯和生物质检测等领域具有重大应用需求。但与目前已经成熟的GaN基蓝光LED相比，存在薄膜质量差，器件光电转换效率低的问题。针对这一问题，本报告将重点阐述基于AlGaN材料微区极化调制、宏观结构设计和芯片发光耦合三种方式提升深紫外LED外量子效率的具体方式。此外，针对氮化物不同极性面表面能、费米能存在明显差异的特点，团队率先开发了“横向极性结构”，用于实现载流子在不同极性畴界面处的高效辐射复合，并成功证明了这一特殊结构在自驱动日盲探测器、GaN HEMT隔离中的应用。

Bio:

郭炜，研究员，博士生导师。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学，曾任美国应用材料有限公司研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所。长期从事第三代半导体（氮化物）材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金联合基金/面上/青年基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域主流期刊中发表论文79篇，引用1800余次(Google Scholar)。授权发明专利10余项，并担任《光子学报》青年编委。郭炜研究员是中科院青年创新促进会会员，并获得了宁波市领军人才、浙江省钱江人才称号。