2025年9月，我应邀前往荷兰乌德勒支，参加IEEE国际超声与频率控制会议（IUS 2025）。我们的论文《High-Frequency Bulk Acoustic Wave Resonator with Ferromagnetic Electrodes for Magnetic Field Sensing》被录用为海报展示，我在会议期间负责展示讲解并与国际同行进行交流。此次出访我随上海科技大学信息学院吴涛老师等共同参会，并与合作单位——中国科学院上海微系统所母志强研究员团队联合展示研究成果。我们于9月14日从上海出发，当地时间9月15日早抵达目的地，会议后于9月19日返回。此会议是声学与频率控制领域的重要国际学术盛会，汇集了全球各地的高校与科研机构，展示了超声、声电器件及磁声调控等前沿研究进展。
本次展示的研究工作主要探讨一种基于磁-声耦合的新型高频磁场传感器。我们在AlN体声波（BAW）谐振器中集成了铁磁性电极（Ni₈₀Fe₂₀，Py），器件结构为Mo/PVD-AlN/CVD-AlN/Mo/Py，通过MOCVD和磁控溅射工艺实现高质量薄膜制备。实验中采用共面波导测量Py薄膜的铁磁共振特性，并利用Kittel方程拟合获得薄膜参数，表明薄膜具有良好的动态磁响应。随后我们在带直流磁场的射频平台上测量了磁谐振器的S11参数，发现集成Py电极后谐振频率在6.7 GHz附近随磁场线性变化，灵敏度为57.61 Hz/Oe，相关系数达0.983，而未集成磁性层的参考器件几乎不受磁场影响。这说明器件的频率漂移来源于磁-声耦合界面效应：外加磁场引起的界面应力通过声弹耦合调制了AlN层的刚度，从而产生频率调谐。这种机制不同于传统磁致伸缩式ΔE效应，适用于非磁致伸缩材料，具有更好的高频兼容性和稳定性。
在会议期间，我向多国学者介绍了我们的研究内容，并听取了来自多个科研团队的反馈。部分研究者对我们提出的高频磁-声调制机制表现出兴趣，认为这一方向有助于推动GHz频段的声学器件传感器研究。我还参加了压电薄膜，超声传感，谐振器声学结构等专题报告，了解到当前国际上在高频声学谐振器研究方面的最新进展。通过与不同课题组的交流，我进一步认识到薄膜生长、器件结构设计和噪声控制等在高频实验中的重要性，并获得了改进样品设计和数据采集方法的具体建议。
这次出访让我在学术视野、科研能力和国际交流经验上都有明显提升。通过亲身参与会议展示，我更加熟悉了国际学术会议的组织形式和交流方式，也锻炼了用英文阐述研究的能力。与合作单位的联合展示加深了双方科研合作关系，为后续在磁电声学集成方向的研究奠定了基础。总体而言，此次出访顺利完成了展示与交流任务，达到了预期目标。未来我将继续拓展磁-声耦合器件的研究，在高频磁传感与自旋电子学集成领域深入探索，努力将此次交流的经验转化为具体科研成果，为学校科研发展贡献力量。