基于AlGaN材料的紫外光电子器件

发布时间:2023-03-06浏览次数:1126

Speaker:     郭炜,中科院宁波材料所

Time:           37 10:00-11:00 

Location:      信息学院 2 215

Host:            吴涛

 

Abstract:

基于AlGaN宽禁带半导体材料的深紫外LED具有节能环保、结构轻便的特点,是替代传统汞灯紫外光源的最佳选择,在杀菌消毒、保密通讯和生物质检测等领域具有重大应用需求。但与目前已经成熟的GaN基蓝光LED相比,存在薄膜质量差,器件光电转换效率低的问题。针对这一问题,本报告将重点阐述基于AlGaN材料微区极化调制、宏观结构设计和芯片发光耦合三种方式提升深紫外LED外量子效率的具体方式。此外,针对氮化物不同极性面表面能、费米能存在明显差异的特点,团队率先开发了横向极性结构,用于实现载流子在不同极性畴界面处的高效辐射复合,并成功证明了这一特殊结构在自驱动日盲探测器、GaN HEMT隔离中的应用。

 

Bio:

郭炜,研究员,博士生导师。本科毕业于上海交通大学,博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学,曾任美国应用材料有限公司研发工程师,2016年加入中科院宁波材料所。长期从事第三代半导体(氮化物)材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金联合基金/面上/青年基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域主流期刊中发表论文79篇,引用1800余次(Google Scholar)。授权发明专利10余项,并担任《光子学报》青年编委。郭炜研究员是中科院青年创新促进会会员,并获得了宁波市领军人才、浙江省钱江人才称号。