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后摩尔时代异质集成材料技术
Date:2018/6/8     Browse:154

Speaker:     Dr. Xin Ou

Time:          15:10—16:00, June 8

Location:    Room 1A-200, SIST Building

Abstract:

未来微电子、光电子器件及智能微系统将继续沿着小型化、集成化和智能化的方向发展,所需的微系统芯片功能更加复杂化、多样化和兼容一体化。这种发展趋势对异质集成技术提出了巨大的需求,异质集成也将为后摩尔时代微电子技术的发展开辟一条全新的道路,在保持原有器件和工艺尺寸的基础,发展异质材料与多种功能器件的一体化集成技术,从而实现单一芯片的功能多样化,特别是实现光电、微能源、模拟、射频、无源器件、MEMS器件的单芯片集成。

发展异质集成技术首先要解决不同半导体材料及功能薄膜的异质融合问题,这将为今后实现器件及系统的集成提供重要基础。在材料异质集成方面,传统的外延生长方法,如分子束外延等发挥了重要的作用。但由于异质外延存在着晶格失配、晶型失配、互扩散与反向畴等问题,会严重影响了薄膜质量和异质集成的灵活性。为突破传统异质外延方法在晶圆级异质集成材料制备中的物理极限,并实现类似“anything-on-anything”的更为灵活的单晶薄膜异质集成方案,我们研究一种基于离子束剥离与转移的异质集成材料制备技术。该技术可以从任意单晶衬底上剥离厚度在纳米尺度的薄膜,并将其与异质材料进行组合,为实现高质量异质集成材料提供了简单、高效的手段。

Bio:

欧欣,研究员,博士生导师。 2009年博士毕业于中科院上海微系统与信息技术研究所。曾在德国马普微结构物理研究所和德国亥姆霍兹德累斯顿-罗森多夫研究中心(HZDR)从事研究工作。2014年底,通过中科院“百人计划”引进加入中科院上海微系统与信息技术研究所工作,任研究员。2015年入选上海市“浦江人才”。2016年获得国家优秀青年科学基金。2017年入选中科院特聘骨干研究员。主要从事先进SOI及XOI异质集成材料技术、载能离子束与材料和器件相互作用、5G滤波器等领域的研究。在《Physical Review Letters》、《Nano Letters》、《Advanced Materials》等期刊上发表50余篇SCI论文。参著2本英文专著,申请并已授权多项国内、国外发明专利。曾获得国际离子注入技术大会“青年学者奖”、德国亥姆霍兹-德累斯顿研究中心“年度研究奖”、欧洲材料大会“最佳墙报奖”、中科院优秀博士论文奖、上海市研究生优秀成果奖、国际离子束材料改性大会 “IBMM Prize”、中国电子学会“优秀科技工作者”等学术奖项。

SIST-Seminar 18037